شركة Mitsubishi Electric تطور وحدة SiC-MOSFET ذات ركيزة خندقية ومزودة ببنية فريدة للحد من المجال الكهربي ستساهم في إنشاء معدات إلكترونية كهربائية أصغر حجمًا وأكثر كفاءةً في استهلاك الطاقة
Jun · The HV has been equipped the newly developed -kV Schottky-Barrier-Diode (SBD) embedded SiC-MOSFETs to improve the power density of the power …
SiC-MOSFET achieves reduction in ON resistance power loss reduced approx compared to conventional product Construct low-noise system by reducing recovery current Numerous built-in functions …
Jun · TOKYO June - Mitsubishi Electric Corporation (TOKYO ) announced today the launch of its N-series V SiC-MOSFET (silicon-carbide metal …
Power loss is reduced by approximately compared to silicon (Si) products contributing to more efficient energy conversion The SiC-MOSFET allows high frequency switching and contributes to downsizing …
Jun · TOKYO June - Mitsubishi Electric Corporation (TOKYO ) announced today that it has developed a new structure for a silicon carbide metal-oxide …
rows · The SiC-MOSFET allows high frequency switching and …
يرجى أن تطمئن إلى شراء ferro silicon عالي الجودة في المخزون هنا من مصنعنا تتوفر خدمة جيدة وأسعار تنافسية RELIABLE هي واحدة من أكثر مصنعي وموردي ferro silicon احترافًا في الصين
rows · The SiC-MOSFET allows high frequency switching and …
يرجى أن تطمئن إلى شراء ferro silicon عالي الجودة في المخزون هنا من مصنعنا تتوفر خدمة جيدة وأسعار تنافسية RELIABLE هي واحدة من أكثر مصنعي وموردي ferro silicon احترافًا في الصين