رقاقة Epi GaAs لسلسلة LED IR - الوصف العام رقاقة EPI GaAs لمصباح LED IR و LD PD -مواصفات رقاقة إي بي آي P GaAs p-GaP ف- AlGaInP MQW-AlGaInP ن- AlGaInP DBR n-ALGaAs …
Mar · تعد شركة سيراميك راس الخيمة RAK ceramics أول شركة تحصل على شهادة الأيزو من قبل الهيئة البريطانية المعتمدة CICS ( معهد أبحاث السيراميك ) وقد تم مراجعة تنفيذ شركة سيراميك رأس الخيمة لنظام إدارة
تقدم PAM-XIAMEN رقاقة SiC جاهزة من نوع Epi مع نوع N أو شبه عازلة بكثافة منخفضة للأنابيب الدقيقة ، وتتوفر طبقات SiC epi بنوع n والنوع p تستخدم رقاقة SiC epi بشكل أساسي في الثنائيات Schottky ، والترانزستورات ذات
رقاقة Epi GaAs لسلسلة LED IR - الوصف العام رقاقة EPI GaAs لمصباح LED IR و LD PD -مواصفات رقاقة إي بي آي P GaAs p-GaP ف- AlGaInP MQW-AlGaInP ن- AlGaInP DBR n-ALGaAs …
تقدم PAM-XIAMEN رقاقة SiC جاهزة من نوع Epi مع نوع N أو شبه عازلة بكثافة منخفضة للأنابيب الدقيقة ، وتتوفر طبقات SiC epi بنوع n والنوع p تستخدم رقاقة SiC epi بشكل أساسي في الثنائيات Schottky ، والترانزستورات ذات
Mar · تعد شركة سيراميك راس الخيمة RAK ceramics أول شركة تحصل على شهادة الأيزو من قبل الهيئة البريطانية المعتمدة CICS ( معهد أبحاث السيراميك ) وقد تم مراجعة تنفيذ شركة سيراميك رأس الخيمة لنظام إدارة
Dec · يتم تطوير رقاقة GaAs pHEMT بواسطة تقنية معالجة MBE أو MOCVD باستخدام بنية مغايرة AlGaAs GaAs للتطبيقات اللاسلكية الشركة الرائدة في صناعة مواد أشباه الموصلات المركبة في الصين
Mar · يغطي تركيز المنشطات لعملية تصنيع رقاقة SiC epi نطاق المنشطات من E-E ، وهو الأكثر استخدامًا في الأجهزة رسم بياني العلاقة بين تركيز المنشطات للنيتروجين (N) ومعدل تدفق النيتروجين (N) في epitaxy H-SiC
Dec · يتم تطوير رقاقة GaAs pHEMT بواسطة تقنية معالجة MBE أو MOCVD باستخدام بنية مغايرة AlGaAs GaAs للتطبيقات اللاسلكية الشركة الرائدة في صناعة مواد أشباه الموصلات المركبة في الصين
رقاقة Epi GaAs لسلسلة LED IR - الوصف العام رقاقة EPI GaAs لمصباح LED IR و LD PD -مواصفات رقاقة إي بي آي P GaAs p-GaP ف- AlGaInP MQW-AlGaInP ن- AlGaInP DBR n-ALGaAs …