Mar · mosfet ، ترانزستور تأثير مجال أشباه الموصلات بأكسيد المعادن أو fet يحتوي على فيلم أكسيد بين البوابة والقناة لزيادة مقاومة الإدخال وتقليل تيار الدائرة الكلي
جهاز أشباه الموصلات السلطة - mosfet أجهزة أشباه الموصلات الكهربائية - الثايرستور والتيراك ترانزستور ثنائي القطب معزول (IGBT)
Jan · mosfet (ترانزستور تأثير مجال أشباه الموصلات بأكسيد المعادن) هو النوع الأكثر استخدامًا من ترانزستور تأثير حقل البوابة المعزول
Dec · يعتبر ترانزستور تأثير مجال أشباه الموصلات وأكسيد المعادن (mosfet) من النوع الأكثر فائدة بين جميع الترانزستورات يشير الاسم نفسه إلى أنه يحتوي على طرف بوابة معدنية Metal Gate Terminal
أشباه الموصلات من أكسيد المعادن (mosfet) "تشير إلى الركيزة (أو الجسم) من mosfet تلعب هذه الركيزة دورًا مهمًا في إنشاء القناة
Dec · في أشباه الموصلات من النوع p ، يكون تركيز الثقوب أعلى بكثير من تركيز الإلكترونات في أشباه الموصلات من النوع n ، يكون تركيز الإلكترونات أكبر بكثير من تركيز الثقوب
ترانزستورات موسفت في أنواع مختلفة من الأغلفة ترانزستور الأثر الحقلي للأكاسيد المعدنية لأشباه الموصلات metal oxide semiconductor field-effect transistor ( MOSFET أو MOS-FET أو MOS FET )، …
هو جهاز شبه موصل يستخدم لتضخيم أو تبديل الإشارات الإلكترونية والطاقة الكهربائية وتتكون من مادة أشباه الموصلات عادة بثلاثة أطراف على الأقل للتوصيل بدائرة خارجية
الشكل - الخصائص الطرفية لترانزستور MOSFET التغييرات الوحيدة من خصائص الترانزستورات NMOS (الشكل ) هي أن المحور الأفقي الآن -v DS بدلا من الخامس DS، وتمثل المنحنيات البارامترية تيار تصريف أعلى مع
الشكل - الخصائص الطرفية لترانزستور MOSFET التغييرات الوحيدة من خصائص الترانزستورات NMOS (الشكل ) هي أن المحور الأفقي الآن -v DS بدلا من الخامس DS، وتمثل المنحنيات البارامترية تيار تصريف أعلى مع