ترانزستور تأثير المجال النانوي الكربوني (cnfet) ، حيث يتم استبدال مادة القناة بأنبوب كربوني نانوي الترانزستور ذو تأثير المجال لبوابة الوصلة (jfet) ، حيث يتم عزل البوابة بواسطة تقاطع p-n متحيز عكسي
Jun · ترانزستور Field Effect Transistor وهو ترانزستور تأثير المجال ويطلق عليه FET ويقوم بعملية تكبير إشارة الجهد والتيار وله ثلاث أطراف المصرف أو المصب ويطلق عليه Drain وهو يشبه المجمع في الترانزستور العادي
أول ترانزستور تأثير المجال اخترعه يوليوس إدگار ليلينفلد عام واوسكار هايل عام ، لكن لم يتم تطوير أجهزة أشباه الموصلات العملية إلا بعد لاحقاً بعدما تم رصد وتفسير تأثير الترانزستور من قبل
ترانزستور الغشاء الرقيق thin-film transistor (TFT)، هو نوع خاص من ترانزستور تأثير المجال المصنوع بواسطة الأغشية الرقيقة في طبقة الشبه موصل النشطة وكذلك طبقة العازل والاتصالات المعدنية مع الركيزة الداع
Jun · ترانزستور Field Effect Transistor وهو ترانزستور تأثير المجال ويطلق عليه FET ويقوم بعملية تكبير إشارة الجهد والتيار وله ثلاث أطراف المصرف أو المصب ويطلق عليه Drain وهو يشبه المجمع في الترانزستور العادي
Jan · ترانزستورات تأثير المجال Field Effect Transistors (FET) (Ian Ross) وجورج ديسي (George Dacey) من تصنيع ترانزستور يعمل بآلية تختلف عن تلك المستخدمة في الترانزستور ثنائي القطبية وهو ترانزستور تأثير المجال ذي …
مضخمات ترانزيستور تأثير المجال مقدمة لمضخمات الترانزستور ذات التأثير الميداني مزايا وعيوب fets أشباه الموصلات من أكسيد المعادن fet (mosfet) ترانزستور تأثير حقل مفرق (jfet)
ولَدَى ترانزستور تأثير المجال - الذي يعمل بالجهد الضوئي، والخاص بالباحثين - مدى استجابة أعلى بخمس مراتب أسية، عند الطول الموجي البالغ نانومتر، عن ذلك الخاص بكواشف السيليكون السابقة
شارح الدرس قائمة تشغيل الدرس ورقة تدريب الدرس نجوى شركة ناشئة في مجال تكنولوجيا التعليم تهدف إلى مساعدة المعلمين على التدريس والطلاب على التعلم نبذة عنَّا الاتصال بنا سياسة الخصوصية
تُستخدم ترانزستورات تأثير-المجال (FETs) في الدوائر المتكاملة، التي تشكل مكونًا أساسيًّا في أجهزة شائعة، مثل الهواتف الذكية، والأجهزة اللوحية، وأجهزة الكمبيوتر المحمولة